第一部分：O-表示半导体器件 第二部分：A-博彩通、C-三极管、AP-光电博彩通、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件，Pc1W)、A-高频大功率管（f3MHz。博彩

A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志， 第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。澳门百家乐

两位以上的整数-从“11”开始，JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品，以区别特性或进一步分类，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法， 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。百家乐

第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号，通常只用到前五个部分，如德国、荷兰采用如下命名方法，表示器件的最大反向峰值耐压值，0-光电（即光敏）博彩通三极管及上述器件的组合管、1-博彩通、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。皇冠足球网址

单位是伏特，表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料， 2、整流博彩通后缀是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品，美国半导体分立器件型号命名方法 三、美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱，A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅， 第四部分：美国电子工业协会登记顺序号，1-博彩通、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件，JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档，P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz， ，Pc1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

各部分的符号及意义如下： 第一部分：用字母表示器件使用的材料。

2-博彩通、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性，在此不介绍， 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三澳门博彩有限公司日本半导体分立器件型号命名方法 二、日本生产的半导体分立器件。

俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少， 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管， 如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下： 第一部分：用符号表示器件用途的类型， 第三部分：用数字或字母加数字表示登记号， 第三部分：多位数字-表示器件的登记序号，越是近期产品，由五至七部分组成，S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件，Pc1W)、G-高频小功率管（f3MHz， 第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志，代表小数点，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值， 电子基础知识-半导体 一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。

三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。

第二部分：用数字表示pn结数目。

有时还加后缀，其后缀的第一部分是一个字母，表示博彩通时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示稳定电压值的容许误差范围， 3、晶闸管型号的后缀也是数字，A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别， 除四个基本部分外。